Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBFJ270 Альтернативные части: MMBFJ176
MMBFJ270ON Semiconductor
В наличии: 7755
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
24.024725 ₽
24.04 ₽
10
22.664835 ₽
226.65 ₽
100
21.381923 ₽
2,138.19 ₽
500
20.171621 ₽
10,085.85 ₽
1000
19.029835 ₽
19,029.81 ₽
Цена за единицу: 24.024725 ₽
Итоговая цена: 24.04 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago) | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 42 Weeks | 42 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -30V | -30V |
Максимальная потеря мощности | 225mW | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | -50mA | 25mA |
Основной номер части | MBFJ270 | MBFJ176 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | DEPLETION MODE |
Распад мощности | 225mW | 225mW |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Непрерывный ток стока (ID) | -15mA | -25mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JUNCTION |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 2mA @ 15V | 2mA @ 15V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 500mV @ 1nA | 1V @ 10nA |
Высота | 1.04mm | 930μm |
Длина | 2.9mm | 2.92mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Пороговая напряжённость / В | - | 30V |
Сопротивление стока к истоку | - | 250Ohm |
Сопротивление - RDS(на) | - | 250Ohm |
Транзисторы - JFET Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMBFJ109,215 | NXP USA Inc. | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 25V 250MW SOT23 | Для сравнения |
 | MMBFJ176 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | Для сравнения |
 | MMBF4393LT3G | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 | Для сравнения |
| MMBFJ175 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 | Для сравнения |