MMBFJ112 Альтернативные части: PMBFJ112,215 ,MMBFJ111

MMBFJ112ON Semiconductor

  • MMBFJ112ON Semiconductor
  • PMBFJ112,215NXP USA Inc.
  • MMBFJ111ON Semiconductor

В наличии: 602914

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.835577 ₽

    11.81 ₽

  • 10

    11.165632 ₽

    111.68 ₽

  • 100

    10.533626 ₽

    1,053.30 ₽

  • 500

    9.937376 ₽

    4,968.68 ₽

  • 1000

    9.374890 ₽

    9,374.86 ₽

Цена за единицу: 11.835577 ₽

Итоговая цена: 11.81 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
JFET N-CH 40V 0.3W SOT23
JFET N-CH 35V 350MW SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
-
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
-
16 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
-
3
Вес
30mg
-
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-35V
-
-35V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2001
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
35V
-
35V
Максимальная потеря мощности
350mW
-
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
5mA
-
20mA
Основной номер части
MBFJ112
MBFJ112
MBFJ111
Каналов количество
1
-
-
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
-
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
35V
-
35V
Непрерывный ток стока (ID)
5mA
-
20mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-35V
-
-35V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Сопротивление стока к истоку
50Ohm
-
30Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
5 pF
-
5 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
5mA @ 15V
5mA @ 15V
20mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1V @ 1μA
5V @ 1μA
3V @ 1μA
Сопротивление - RDS(на)
50Ohm
50Ohm
30Ohm
Высота
1.11mm
-
1.04mm
Длина
2.92mm
-
2.9mm
Ширина
1.3mm
-
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Конфигурация
-
SINGLE
-
Мощность - Макс
-
300mW
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
6pF @ 10V VGS
-
Код JEDEC-95
-
TO-236AB
-
Сопротивление открытого канала-макс
-
50Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
-
40V
-
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.3W
-
Теперь
-
40V
-