Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MMBFJ112 Альтернативные части: MMBFJ202
MMBFJ112ON Semiconductor
В наличии: 602914
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.835577 ₽
11.81 ₽
10
11.165632 ₽
111.68 ₽
100
10.533626 ₽
1,053.30 ₽
500
9.937376 ₽
4,968.68 ₽
1000
9.374890 ₽
9,374.86 ₽
Цена за единицу: 11.835577 ₽
Итоговая цена: 11.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago) | ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 42 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | -35V | 40V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 35V | 40V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 5mA | 50mA |
Основной номер части | MBFJ112 | MBFJ202 |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | AMPLIFIER |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 35V | 40V |
Непрерывный ток стока (ID) | 5mA | 5.4mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | -35V | -40V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | JUNCTION | JUNCTION |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - |
Сопротивление стока к истоку | 50Ohm | - |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | 5 pF | - |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 5mA @ 15V | 900μA @ 20V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 1V @ 1μA | 800mV @ 10nA |
Сопротивление - RDS(на) | 50Ohm | - |
Высота | 1.11mm | - |
Длина | 2.92mm | - |
Ширина | 1.3mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.95 |
Транзисторы - JFET Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMBFJ202 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 40V 350MW SOT23 | Для сравнения |
| MMBF4092 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | PMBFJ112,215 | NXP USA Inc. | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 | Для сравнения |
| MMBFJ111 | ON Semiconductor | Транзисторы - JFET | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | JFET N-CH 35V 350MW SOT23 | Для сравнения |