MMBFJ112 Альтернативные части: MMBFJ202 ,MMBF4092

MMBFJ112ON Semiconductor

  • MMBFJ112ON Semiconductor
  • MMBFJ202ON Semiconductor
  • MMBF4092ON Semiconductor

В наличии: 602914

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.835577 ₽

    11.81 ₽

  • 10

    11.165632 ₽

    111.68 ₽

  • 100

    10.533626 ₽

    1,053.30 ₽

  • 500

    9.937376 ₽

    4,968.68 ₽

  • 1000

    9.374890 ₽

    9,374.86 ₽

Цена за единицу: 11.835577 ₽

Итоговая цена: 11.81 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
42 Weeks
16 Weeks
6 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-35V
40V
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2008
2000
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Ток постоянного напряжения - номинальный
35V
40V
40V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
5mA
50mA
50mA
Основной номер части
MBFJ112
MBFJ202
MBF4092
Каналов количество
1
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
35V
40V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
5mA
5.4mA
15mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-35V
-40V
-40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
-
-
Сопротивление стока к истоку
50Ohm
-
50Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
5 pF
-
5 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
5mA @ 15V
900μA @ 20V
15mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
1V @ 1μA
800mV @ 10nA
2V @ 1nA
Сопротивление - RDS(на)
50Ohm
-
50Ohm
Высота
1.11mm
-
930μm
Длина
2.92mm
-
2.92mm
Ширина
1.3mm
-
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
-
16pF @ 20V