MMBFJ111 Альтернативные части: MMBF4391 ,MMBFJ113

MMBFJ111ON Semiconductor

  • MMBFJ111ON Semiconductor
  • MMBF4391ON Semiconductor
  • MMBFJ113ON Semiconductor

В наличии: 451

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    30.355769 ₽

    30.36 ₽

  • 10

    28.637514 ₽

    286.40 ₽

  • 100

    27.016525 ₽

    2,701.65 ₽

  • 500

    25.487294 ₽

    12,743.68 ₽

  • 1000

    24.044615 ₽

    24,044.64 ₽

Цена за единицу: 30.355769 ₽

Итоговая цена: 30.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 35V 350MW SOT23
JFET N-CH 30V 350MW SOT23
JFET N-CH 35V 350MW SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
14 Weeks
42 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-35V
-30V
-35V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2000
2000
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
35V
30V
35V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
20mA
50mA
2mA
Основной номер части
MBFJ111
MBF4391
MBFJ113
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
350mW
350mW
350mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)
35V
30V
35V
Непрерывный ток стока (ID)
20mA
150mA
2mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-35V
-30V
-35V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Сопротивление стока к истоку
30Ohm
30Ohm
100Ohm
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
5 pF
-
5 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
20mA @ 15V
50mA @ 20V
2mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
3V @ 1μA
4V @ 1nA
500mV @ 1μA
Сопротивление - RDS(на)
30Ohm
30Ohm
100Ohm
Высота
1.04mm
930μm
1.2mm
Длина
2.9mm
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
-
Сопротивление
-
30Ohm
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
-
14pF @ 20V
-
Каналов количество
-
-
1
Максимальная температура перехода (Тj)
-
-
150°C