MMBFJ111ON Semiconductor
В наличии: 451
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
30.355769 ₽
30.36 ₽
10
28.637514 ₽
286.40 ₽
100
27.016525 ₽
2,701.65 ₽
500
25.487294 ₽
12,743.68 ₽
1000
24.044615 ₽
24,044.64 ₽
Цена за единицу: 30.355769 ₽
Итоговая цена: 30.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | JFET N-CH 35V 350MW SOT23 | JFET N-CH 30V 350MW SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 11 hours ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | -35V | -30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2000 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 35V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 20mA | 50mA |
Основной номер части | MBFJ111 | MBF4391 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | DEPLETION MODE | DEPLETION MODE |
Распад мощности | 350mW | 350mW |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 35V | 30V |
Непрерывный ток стока (ID) | 20mA | 150mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | -35V | -30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | JUNCTION | JUNCTION |
Сопротивление стока к истоку | 30Ohm | 30Ohm |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | 5 pF | - |
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0) | 20mA @ 15V | 50mA @ 20V |
Ток-отсечка (VGS off) @ Id | 3V @ 1μA | 4V @ 1nA |
Сопротивление - RDS(на) | 30Ohm | 30Ohm |
Высота | 1.04mm | 930μm |
Длина | 2.9mm | 2.92mm |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT |
Сопротивление | - | 30Ohm |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 14pF @ 20V |