MMBF4393LT3G Альтернативные части: MMBFJ270 ,MMBFJ175

MMBF4393LT3GON Semiconductor

  • MMBF4393LT3GON Semiconductor
  • MMBFJ270ON Semiconductor
  • MMBFJ175ON Semiconductor

В наличии: 20455

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    41.256374 ₽

    41.21 ₽

  • 10

    38.921071 ₽

    389.15 ₽

  • 100

    36.717981 ₽

    3,671.84 ₽

  • 500

    34.639615 ₽

    17,319.78 ₽

  • 1000

    32.678887 ₽

    32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
LIFETIME (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
42 Weeks
14 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
200.998119mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
30V
-
30V
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2006
2008
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
-
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
-
Основной номер части
MBF4393
MBFJ270
MBFJ175
Число контактов
3
-
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
ENHANCEMENT MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
225mW
225mW
225mW
Тип ТРВ
N-Channel
P-Channel
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Без галогенов
Halogen Free
-
-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
14pF @ 15V
-
-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
30V
30V
30V
Сопротивление открытого канала-макс
100Ohm
-
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JUNCTION
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
5mA @ 15V
2mA @ 15V
7mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
500mV @ 10nA
500mV @ 1nA
3V @ 10nA
Сопротивление - RDS(на)
100Ohm
-
125Ohm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-30V
-30V
Моментальный ток
-
-50mA
-50mA
Напряжение стока-исток (Vdss)
-
30V
30V
Непрерывный ток стока (ID)
-
-15mA
33.5mA
Высота
-
1.04mm
-
Длина
-
2.9mm
-
Ширина
-
1.3mm
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Сопротивление стока к истоку
-
-
125Ohm