MMBF4393LT3G Альтернативные части: PMBFJ110,215

MMBF4393LT3GON Semiconductor

В наличии: 20455

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
41.256374 ₽
41.21 ₽
10
38.921071 ₽
389.15 ₽
100
36.717981 ₽
3,671.84 ₽
500
34.639615 ₽
17,319.78 ₽
1000
32.678887 ₽
32,678.85 ₽

Цена за единицу: 41.256374 ₽

Итоговая цена: 41.21 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMMBF4393LT3G	иPMBFJ110,215
Производитель:	ON Semiconductor	NXP USA Inc.
Описание:	JFET N-CH 30V 0.225W SOT23	JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	-
Срок поставки от производителя	8 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Surface Mount	-
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	-
Вес	200.998119mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Пороговая напряжённость / В	30V	-
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2006	2001
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	225mW	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	MBF4393	MBFJ110
Число контактов	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	-
Режим работы	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
Распад мощности	225mW	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Без галогенов	Halogen Free	-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	14pF @ 15V	30pF @ 10V VGS
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	30V	-
Сопротивление открытого канала-макс	100Ohm	18Ohm
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	JUNCTION	JUNCTION
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)	5mA @ 15V	10mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id	500mV @ 10nA	4V @ 1μA
Сопротивление - RDS(на)	100Ohm	18Ohm
REACH SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-
Поверхностный монтаж	-	YES
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.95
Код JESD-30	-	R-PDSO-G3
Конфигурация	-	SINGLE
Мощность - Макс	-	250mW
Код JEDEC-95	-	TO-236AB
Минимальная напряжённость разрушения	-	25V
Максимальная потеря мощности (абс.)	-	0.25W
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	15 pF
Теперь	-	25V

Транзисторы - JFET Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBFJ176	ON Semiconductor	Транзисторы - JFET	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	JFET P-CH 30V 0.225W SOT23	Для сравнения
PMBFJ110,215	NXP USA Inc.	Транзисторы - JFET	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	JFET N-CH 25V 250MW SOT23	Для сравнения
MMBFJ270	ON Semiconductor	Транзисторы - JFET	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	JFET P-CH 30V 0.225W SOT23	Для сравнения
MMBFJ175	ON Semiconductor	Транзисторы - JFET	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	JFET P-CH 30V 0.225W SOT23	Для сравнения