MMBF4117 Альтернативные части: MMBF5460 ,PMBF4391,215

MMBF4117ON Semiconductor

  • MMBF4117ON Semiconductor
  • MMBF5460ON Semiconductor
  • PMBF4391,215NXP USA Inc.

В наличии: 3019

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    19.591484 ₽

    19.64 ₽

  • 10

    18.482527 ₽

    184.89 ₽

  • 100

    17.436346 ₽

    1,743.68 ₽

  • 500

    16.449382 ₽

    8,224.73 ₽

  • 1000

    15.518297 ₽

    15,518.27 ₽

Цена за единицу: 19.591484 ₽

Итоговая цена: 19.64 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
JFET N-CH 40V 250MW SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
16 Weeks
14 Weeks
8 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
-
Вес
30mg
30mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-40V
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2001
1997
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
-
Состояние изделия
Active
Obsolete
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-40V
-
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
-
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
-10mA
-
Основной номер части
MBF4117
MBF5460
MBF4391
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
225mW
225mW
-
Тип ТРВ
N-Channel
P-Channel
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
3pF @ 10V
7pF @ 15V
14pF @ 20V
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
40V
-
Непрерывный ток стока (ID)
90μA
-5mA
-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
40V
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
1.5 pF
2 pF
3.5 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
30μA @ 10V
1mA @ 15V
50mA @ 20V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
600mV @ 1nA
750mV @ 1μA
4V @ 1nA
Высота
930μm
930μm
-
Длина
2.92mm
2.92mm
-
Ширина
1.3mm
1.3mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Поверхностный монтаж
-
-
YES
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
40
Число контактов
-
-
3
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-F3
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Конфигурация
-
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Мощность - Макс
-
-
250mW
Максимальный сливовой ток (ID)
-
-
0.012A
Сопротивление открытого канала-макс
-
-
30Ohm
Минимальная напряжённость разрушения
-
-
40V
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
-
0.25W
Время выключения максимальное (toff)
-
-
20ns
Время включения максимальный (тон)
-
-
80ns
Теперь
-
-
40V
Сопротивление - RDS(на)
-
-
30Ohm