MMBF4117 Альтернативные части: MMBF5460

MMBF4117ON Semiconductor

  • MMBF4117ON Semiconductor
  • MMBF5460ON Semiconductor

В наличии: 3019

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    19.591484 ₽

    19.64 ₽

  • 10

    18.482527 ₽

    184.89 ₽

  • 100

    17.436346 ₽

    1,743.68 ₽

  • 500

    16.449382 ₽

    8,224.73 ₽

  • 1000

    15.518297 ₽

    15,518.27 ₽

Цена за единицу: 19.591484 ₽

Итоговая цена: 19.64 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
14 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-40V
-
Количество элементов
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2001
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-40V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
-10mA
Основной номер части
MBF4117
MBF5460
Конфигурация элемента
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
225mW
225mW
Тип ТРВ
N-Channel
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
3pF @ 10V
7pF @ 15V
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
90μA
-5mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
1.5 pF
2 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
30μA @ 10V
1mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
600mV @ 1nA
750mV @ 1μA
Высота
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)