MMBF4117 Альтернативные части: MMBF4118 ,MMBF5460

MMBF4117ON Semiconductor

  • MMBF4117ON Semiconductor
  • MMBF4118ON Semiconductor
  • MMBF5460ON Semiconductor

В наличии: 3019

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    19.591484 ₽

    19.64 ₽

  • 10

    18.482527 ₽

    184.89 ₽

  • 100

    17.436346 ₽

    1,743.68 ₽

  • 500

    16.449382 ₽

    8,224.73 ₽

  • 1000

    15.518297 ₽

    15,518.27 ₽

Цена за единицу: 19.591484 ₽

Итоговая цена: 19.64 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
JFET P-CH 40V 0.225W SOT23
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
16 Weeks
6 Weeks
14 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
30mg
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Пороговая напряжённость / В
-40V
-
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2000
2001
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.95
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
40V
-40V
-40V
Максимальная потеря мощности
225mW
225mW
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Моментальный ток
50mA
280mA
-10mA
Основной номер части
MBF4117
MBF4118
MBF5460
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Режим работы
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
DEPLETION MODE
Распад мощности
225mW
225mW
225mW
Тип ТРВ
N-Channel
N-Channel
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
AMPLIFIER
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
3pF @ 10V
3pF @ 10V
7pF @ 15V
Напряжение стока-исток (Vdss)
40V
40V
40V
Непрерывный ток стока (ID)
90μA
1nA
-5mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-40V
-40V
40V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
JUNCTION
JUNCTION
JUNCTION
Обратная ёмкость-Макс (Crss)
1.5 pF
1.5 pF
2 pF
Ток-отвод (Idss) @ Вдс (Vgs=0)
30μA @ 10V
80μA @ 10V
1mA @ 15V
Ток-отсечка (VGS off) @ Id
600mV @ 1nA
1V @ 1nA
750mV @ 1μA
Высота
930μm
930μm
930μm
Длина
2.92mm
2.92mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
1.3mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Tin (Sn)