MCP14E3-E/SN Альтернативные части: MIC4425BM ,MCP14E9-E/SN

MCP14E3-E/SNMicrochip Technology

  • MCP14E3-E/SNMicrochip Technology
  • MIC4425BMMicrochip Technology
  • MCP14E9-E/SNMicrochip Technology

В наличии: 175

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    225.470879 ₽

    225.41 ₽

  • 10

    212.708365 ₽

    2,127.06 ₽

  • 100

    200.668310 ₽

    20,066.90 ₽

  • 500

    189.309670 ₽

    94,654.81 ₽

  • 1000

    178.594038 ₽

    178,594.09 ₽

Цена за единицу: 225.470879 ₽

Итоговая цена: 225.41 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC
IC DRIVER MOSFET 3A DUAL 8-SOIC
MICROCHIP - MCP14E9-E/SN - MOSFET DRIVER, SOIC-8
Срок поставки от производителя
9 Weeks
-
9 Weeks
Монтаж
Surface Mount
-
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
-
8
Настройка драйвера
Low-Side
Low-Side
Low-Side
Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня
0.8V 2.4V
0.8V 2.4V
0.8V 2.4V
Рабочая температура
-40°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
-40°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2007
2005
2006
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
-
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
3 (168 Hours)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
-
8
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Matte Tin (Sn) - annealed
Максимальная потеря мощности
665mW
-
699mW
Напряжение - Питание
4.5V~18V
4.5V~18V
4.5V~18V
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Количество функций
1
-
1
Напряжение питания
12V
-
12V
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Основной номер части
MCP14E3
MIC4425
MCP14E9
Число контактов
8
-
8
Количество выходов
2
-
-
Выводной напряжение
17.975V
-
18V
Максимальный выходной ток
4A
-
3A
Номинальный ток питания
750μA
-
1.8mA
Распад мощности
665mW
-
-
Ток выпуска
4A
-
3A
Максимальный текущий ток подачи
2mA
-
1.8mA
Задержка распространения
60 ns
-
65 ns
Входной тип
Inverting
Inverting, Non-Inverting
Inverting
Время задержки включения
60 ns
-
65 ns
Время подъема
30ns
-
30ns
Время падения (тип)
30 ns
-
30 ns
Время подъёма / падения (тип)
15ns 18ns
28ns 32ns
14ns 17ns
Тип интерфейсного микросхемы
PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER
-
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Канальный тип
Independent
Independent
Independent
Ток смещения входа
10μA
-
10μA
Время включения
0.07 μs
-
0.04 μs
Моментальный пиковый лимит текущего выхода
4A
-
3A
Вид входа
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Ток - Пиковый выход (Исток, Сток)
4A 4A
3A 3A
3A 3A
Верхний драйвер
NO
-
YES
Время выключения
0.07 μs
-
0.04 μs
Высота
1.4986mm
-
1.25mm
Длина
4.8768mm
-
4.9mm
Ширина
3.9116mm
-
3.9mm
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
Non-RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поставщик упаковки устройства
-
8-SOIC
-
Количество драйверов
-
2
2
Поверхностный монтаж
-
-
YES
Ток входа
-
-
1μA