MCP14E3-E/SNMicrochip Technology
В наличии: 175
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
225.470879 ₽
225.41 ₽
10
212.708365 ₽
2,127.06 ₽
100
200.668310 ₽
20,066.90 ₽
500
189.309670 ₽
94,654.81 ₽
1000
178.594038 ₽
178,594.09 ₽
Цена за единицу: 225.470879 ₽
Итоговая цена: 225.41 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IC MOSFET DVR 4.0A DUAL 8SOIC | MICROCHIP - MCP14E9-E/SN - MOSFET DRIVER, SOIC-8 |
Срок поставки от производителя | 9 Weeks | 9 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Настройка драйвера | Low-Side | Low-Side |
Логическое напряжение-ниже-уровня, выше-уровня | 0.8V 2.4V | 0.8V 2.4V |
Рабочая температура | -40°C~150°C TJ | -40°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2007 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed |
Максимальная потеря мощности | 665mW | 699mW |
Напряжение - Питание | 4.5V~18V | 4.5V~18V |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Количество функций | 1 | 1 |
Напряжение питания | 12V | 12V |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MCP14E3 | MCP14E9 |
Число контактов | 8 | 8 |
Количество выходов | 2 | - |
Выводной напряжение | 17.975V | 18V |
Максимальный выходной ток | 4A | 3A |
Номинальный ток питания | 750μA | 1.8mA |
Распад мощности | 665mW | - |
Ток выпуска | 4A | 3A |
Максимальный текущий ток подачи | 2mA | 1.8mA |
Задержка распространения | 60 ns | 65 ns |
Входной тип | Inverting | Inverting |
Время задержки включения | 60 ns | 65 ns |
Время подъема | 30ns | 30ns |
Время падения (тип) | 30 ns | 30 ns |
Время подъёма / падения (тип) | 15ns 18ns | 14ns 17ns |
Тип интерфейсного микросхемы | PUSH-PULL BASED MOSFET DRIVER | HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER |
Канальный тип | Independent | Independent |
Ток смещения входа | 10μA | 10μA |
Время включения | 0.07 μs | 0.04 μs |
Моментальный пиковый лимит текущего выхода | 4A | 3A |
Вид входа | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
Ток - Пиковый выход (Исток, Сток) | 4A 4A | 3A 3A |
Верхний драйвер | NO | YES |
Время выключения | 0.07 μs | 0.04 μs |
Высота | 1.4986mm | 1.25mm |
Длина | 4.8768mm | 4.9mm |
Ширина | 3.9116mm | 3.9mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Поверхностный монтаж | - | YES |
Количество драйверов | - | 2 |
Ток входа | - | 1μA |