MB8S Альтернативные части: MB10S ,MB1S

MB8SON Semiconductor

  • MB8SON Semiconductor
  • MB10SON Semiconductor
  • MB1SON Semiconductor

В наличии: 14260

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.744368 ₽

    9.75 ₽

  • 10

    9.192802 ₽

    91.90 ₽

  • 100

    8.672459 ₽

    867.31 ₽

  • 500

    8.181566 ₽

    4,090.80 ₽

  • 1000

    7.718448 ₽

    7,718.41 ₽

Цена за единицу: 9.744368 ₽

Итоговая цена: 9.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC
BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC
Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Срок поставки от производителя
12 Weeks
12 Weeks
12 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
Tin
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-269AA, 4-BESOP
TO-269AA, 4-BESOP
TO-269AA, 4-BESOP
Количество контактов
4
4
4
Поставщик упаковки устройства
4-SOIC
4-SOIC
4-SOIC
Вес
228mg
228mg
228mg
Количество элементов
1
1
1
Номинальное напряжение
50V
500V
16V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
2013
2014
Допуск
5%
10%
10%
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Капацитивность
13pF
470pF
13pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
800V
-
100V
Максимальная потеря мощности
1.4W
1.4W
1.4W
Моментальный ток
500mA
-
500mA
Основной номер части
MB8
MB10
MB1
Код корпуса (метрический)
1608
3216
1608
Код корпуса (имперский)
0603
1206
0603
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Тип диода
Single Phase
Single Phase
Single Phase
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
5μA @ 800V
5μA @ 1000V
5μA @ 100V
Ток выпуска
500mA
-
500mA
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
1V @ 500mA
1V @ 500mA
1V @ 500mA
Напряжённая мощность
500mA
800mA
500mA
Максимальный импульсный ток
35A
35A
35A
Ток - Средний прямоугольный
500mA
500mA
500mA
Напряжение включения
1V
1V
1V
Средний выпрямленный ток
500mA
500mA
500mA
Пиковая обратная токовая сила
5μA
500μA
5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
800V
1kV
100V
Пиковый нерегулярный импульсный ток
35A
35A
35A
Обратная напряжение
800V
1kV
100V
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
35A
35A
35A
Напряжение - Пиковое обратное (Макс)
800V
1kV
100V
Максимальная температура перехода (Тj)
150°C
150°C
150°C
Обратная напряжение (DC)
560V
1kV
-
Высота
2.9mm
2.9mm
2.9mm
Длина
1.6002mm
4.95mm
3.2004mm
Ширина
4.2mm
4.2mm
4.2mm
Толщина
508μm
990.6μm
939.8μm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Оценки
AEC-Q200
-
-
Пitched Lead
-
5.0038mm
-
Стиль вывода/основания
-
Formed Leads
-
Высота сидения (макс.)
-
8.9916mm
-
Завершение
-
-
SMD/SMT
Распад мощности
-
-
1.4W
Максимальный обратный ток утечки
-
-
5μA