Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MB8S Альтернативные части: MB10S
MB8SON Semiconductor
В наличии: 14260
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.744368 ₽
9.75 ₽
10
9.192802 ₽
91.90 ₽
100
8.672459 ₽
867.31 ₽
500
8.181566 ₽
4,090.80 ₽
1000
7.718448 ₽
7,718.41 ₽
Цена за единицу: 9.744368 ₽
Итоговая цена: 9.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODE BRIDGE 0.5A 800V 4-SOIC | BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-269AA, 4-BESOP | TO-269AA, 4-BESOP |
Количество контактов | 4 | 4 |
Поставщик упаковки устройства | 4-SOIC | 4-SOIC |
Вес | 228mg | 228mg |
Количество элементов | 1 | 1 |
Номинальное напряжение | 50V | 500V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2013 |
Допуск | 5% | 10% |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Капацитивность | 13pF | 470pF |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 800V | - |
Максимальная потеря мощности | 1.4W | 1.4W |
Моментальный ток | 500mA | - |
Основной номер части | MB8 | MB10 |
Код корпуса (метрический) | 1608 | 3216 |
Код корпуса (имперский) | 0603 | 1206 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Тип диода | Single Phase | Single Phase |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 5μA @ 800V | 5μA @ 1000V |
Ток выпуска | 500mA | - |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 1V @ 500mA | 1V @ 500mA |
Напряжённая мощность | 500mA | 800mA |
Максимальный импульсный ток | 35A | 35A |
Ток - Средний прямоугольный | 500mA | 500mA |
Напряжение включения | 1V | 1V |
Средний выпрямленный ток | 500mA | 500mA |
Пиковая обратная токовая сила | 5μA | 500μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 800V | 1kV |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 35A | 35A |
Обратная напряжение | 800V | 1kV |
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm) | 35A | 35A |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | 800V | 1kV |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | 150°C |
Обратная напряжение (DC) | 560V | 1kV |
Высота | 2.9mm | 2.9mm |
Длина | 1.6002mm | 4.95mm |
Ширина | 4.2mm | 4.2mm |
Толщина | 508μm | 990.6μm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Оценки | AEC-Q200 | - |
Пitched Lead | - | 5.0038mm |
Стиль вывода/основания | - | Formed Leads |
Высота сидения (макс.) | - | 8.9916mm |
Диоды - Мостовые Выпрямители Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MB6S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC | Для сравнения |
 | MB2S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | BRIDGE RECT 1P 200V 500MA 4SOIC | Для сравнения |
 | MB10S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | BRIDGE RECT 1P 1KV 500MA 4SOIC | Для сравнения |
 | MB1S | ON Semiconductor | Диоды - Мостовые Выпрямители | TO-269AA, 4-BESOP | Diode Rectifier Bridge Single 100V 0.5A 4-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |