Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
KST5551MTF Альтернативные части: MMBT5550 ,KST5550MTF
KST5551MTFON Semiconductor
В наличии: 12999
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin SOT-23 | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | 14 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | 30mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 160V | 140V | 140V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 60 | 60 |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2003 | 2005 | - |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - | 3 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 160V | 140V | 140V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Моментальный ток | 600mA | 600mA | 600mA |
Частота | 300MHz | 50MHz | 300MHz |
Основной номер части | KST5551 | MMBT5550 | KST5550 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW | 350mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - | - |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 50MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | - | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 160V | 140V | 140V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 600mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 60 @ 10mA 5V | 60 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 100MHz | - | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 160V | 140V | 140V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 180V | 160V | 160V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V | 6V |
Высота | 970μm | 930μm | - |
Длина | 2.9mm | 2.92mm | - |
Ширина | 1.3mm | 1.3mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Поставщик упаковки устройства | - | SOT-23-3 | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 600mA | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Направленность | - | NPN | - |
Мощность - Макс | - | 350mW | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 140V | - |
Максимальная частота | - | 50MHz | - |
Частота - Переход | - | 50MHz | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | KST5550MTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Для сравнения |
 | MMBT5551-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| MMBT5551 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | Для сравнения |
| MMBT5550 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin SOT-23 | Для сравнения |