KST5551MTF Альтернативные части: MMBT5551

KST5551MTFON Semiconductor

  • KST5551MTFON Semiconductor
  • MMBT5551ON Semiconductor

В наличии: 12999

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    5.889588 ₽

    5.91 ₽

  • 500

    4.330577 ₽

    2,165.25 ₽

  • 1000

    3.608777 ₽

    3,608.79 ₽

  • 2000

    3.310865 ₽

    6,621.70 ₽

  • 5000

    3.094231 ₽

    15,471.15 ₽

  • 10000

    2.878352 ₽

    28,783.52 ₽

  • 15000

    2.783750 ₽

    41,756.32 ₽

  • 50000

    2.737212 ₽

    136,860.58 ₽

Цена за единицу: 5.889588 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23
Состояние жизненного цикла
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Срок поставки от производителя
6 Weeks
31 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Вес
30mg
30mg
Материал элемента транзистора
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
160V
160V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
80
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2003
2013
Код JESD-609
e3
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
160V
160V
Максимальная потеря мощности
350mW
350mW
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
-
Моментальный ток
600mA
600mA
Частота
300MHz
300MHz
Основной номер части
KST5551
MMBT5551
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
350mW
350mW
Применение транзистора
AMPLIFIER
-
Продуктивность полосы частот
300MHz
100MHz
Полярность/Тип канала
NPN
-
Тип транзистора
NPN
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
160V
160V
Максимальный ток сбора
600mA
600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
50nA ICBO
50nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
200mV @ 5mA, 50mA
Частота перехода
100MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
160V
160V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
180V
180V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
6V
Высота
970μm
1.2mm
Длина
2.9mm
2.92mm
Ширина
1.3mm
1.3mm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Поставщик упаковки устройства
-
SOT-23-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
600mA
Максимальная рабочая температура
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-55°C
Направленность
-
NPN
Мощность - Макс
-
350mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
160V
Максимальная частота
-
300MHz
Частота - Переход
-
100MHz
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
REACH SVHC
-
No SVHC