Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
KST5551MTF Альтернативные части: KST5550MTF ,MMBT5551-7-F
KST5551MTFON Semiconductor
В наличии: 12999
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago) | - |
Срок поставки от производителя | 6 Weeks | - | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 30mg | 30mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 160V | 140V | 160V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 60 | 30 |
Рабочая температура | 150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2003 | - | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 160V | 140V | 160V |
Максимальная потеря мощности | 350mW | 350mW | 300mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 600mA | 600mA | 200mA |
Частота | 300MHz | 300MHz | 300MHz |
Основной номер части | KST5551 | KST5550 | MMBT5551 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 350mW | 350mW | 300mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | - | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | 300MHz | 300MHz |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 160V | 140V | 160V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 600mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 60 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 50nA ICBO | 100nA ICBO | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA | 250mV @ 5mA, 50mA | 200mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 100MHz | 100MHz | 100MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 160V | 140V | 160V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 180V | 160V | 180V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V | 6V |
Высота | 970μm | - | 1.1mm |
Длина | 2.9mm | - | 3.05mm |
Ширина | 1.3mm | - | 1.4mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Число контактов | - | - | 3 |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Прямоходящий ток коллектора | - | - | 200mA |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | KST5550MTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | Для сравнения |
 | MMBT5551-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| MMBT5551 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23 | Для сравнения |
| MMBT5550 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin SOT-23 | Для сравнения |