IXYK120N120C3 Альтернативные части: IXYB82N120C3H1 ,APT75GN120LG

IXYK120N120C3IXYS

В наличии: 258

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
3,416.603407 ₽
3,416.62 ₽
10
3,223.210797 ₽
32,232.14 ₽
100
3,040.764849 ₽
304,076.51 ₽
500
2,868.646140 ₽
1,434,323.08 ₽
1000
2,706.269876 ₽
2,706,269.92 ₽

Цена за единицу: 3,416.603407 ₽

Итоговая цена: 3,416.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXYK120N120C3	иIXYB82N120C3H1	иAPT75GN120LG
Производитель:	IXYS	IXYS	Microsemi Corporation
Описание:	IGBT 1200V 240A 1500W TO264	IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264
Срок поставки от производителя	17 Weeks	24 Weeks	24 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.2kV	1.2kV	1.2kV
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	600V, 100A, 1 Ω, 15V	600V, 80A, 2 Ω, 15V	800V, 75A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	GenX3™, XPT™	GenX3™, XPT™	-
Опубликовано	2013	2013	1999
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Максимальная потеря мощности	1.5kW	1.04kW	833W
Код JESD-30	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1.5kW	1.04kW	-
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	1500W	1040W	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	3.2V	1.2kV	1.2kV
Максимальный ток сбора	240A	164A	200A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1200V	1200V	1200V
Время включения	105 ns	119 ns	101 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 120A	3.2V @ 15V, 82A	2.1V @ 15V, 75A
Время выключения (toff)	346 ns	295 ns	925 ns
Зарядная мощность	412nC	215nC	425nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	700A	320A	225A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	35ns/176ns	29ns/192ns	60ns/620ns
Переключаемый энергопотребление	6.75mJ (on), 5.1mJ (off)	4.95mJ (on), 2.78mJ (off)	8620μJ (on), 11400μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	30V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5V	5V	6.5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Количество контактов	-	264	-
Время отключения	-	192 ns	620 ns
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	-	AVALANCHE RATED	HIGH RELIABILITY
Число контактов	-	3	3
Время задержки включения	-	29 ns	60 ns
Время обратной рекомпенсации	-	420 ns	-
Высота	-	26.59mm	5.21mm
Длина	-	20.29mm	26.49mm
Ширина	-	5.31mm	20.5mm
Вес	-	-	10.6g
Код JESD-609	-	-	e1
Безоловая кодировка	-	-	yes
Конечная обработка контакта	-	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	1.2kV
Моментальный ток	-	-	200A
Прямоходящий ток коллектора	-	-	200A
Тип ИGBT	-	-	Trench Field Stop
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IXYB82N120C3H1	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264	Для сравнения
APT75GN120LG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
IXGK120N120A3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 240A 830W TO264	Для сравнения
IXYK100N120C3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 188A 1150W TO264	Для сравнения