Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXYK120N120C3 Альтернативные части: APT75GN120LG
IXYK120N120C3IXYS
В наличии: 258
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
3,416.603407 ₽
3,416.62 ₽
10
3,223.210797 ₽
32,232.14 ₽
100
3,040.764849 ₽
304,076.51 ₽
500
2,868.646140 ₽
1,434,323.08 ₽
1000
2,706.269876 ₽
2,706,269.92 ₽
Цена за единицу: 3,416.603407 ₽
Итоговая цена: 3,416.62 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 1200V 240A 1500W TO264 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 24 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-264-3, TO-264AA | TO-264-3, TO-264AA |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.2kV | 1.2kV |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 600V, 100A, 1 Ω, 15V | 800V, 75A, 1 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | GenX3™, XPT™ | - |
Опубликовано | 2013 | 1999 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Максимальная потеря мощности | 1.5kW | 833W |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.5kW | - |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 1500W | - |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 3.2V | 1.2kV |
Максимальный ток сбора | 240A | 200A |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1200V | 1200V |
Время включения | 105 ns | 101 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 120A | 2.1V @ 15V, 75A |
Время выключения (toff) | 346 ns | 925 ns |
Зарядная мощность | 412nC | 425nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 700A | 225A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 35ns/176ns | 60ns/620ns |
Переключаемый энергопотребление | 6.75mJ (on), 5.1mJ (off) | 8620μJ (on), 11400μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 30V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5V | 6.5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 10.6g |
Время отключения | - | 620 ns |
Код JESD-609 | - | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 1.2kV |
Моментальный ток | - | 200A |
Число контактов | - | 3 |
Время задержки включения | - | 60 ns |
Прямоходящий ток коллектора | - | 200A |
Тип ИGBT | - | Trench Field Stop |
Высота | - | 5.21mm |
Длина | - | 26.49mm |
Ширина | - | 20.5mm |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXYB82N120C3H1 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264 | Для сравнения |
 | APT75GN120LG | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264 | Для сравнения |
| IXGK120N120A3 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 240A 830W TO264 | Для сравнения |
| IXYK100N120C3 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-264-3, TO-264AA | IGBT 1200V 188A 1150W TO264 | Для сравнения |