IXYK120N120C3 Альтернативные части: APT75GN120LG ,IXGK120N120A3

IXYK120N120C3IXYS

В наличии: 258

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
3,416.603407 ₽
3,416.62 ₽
10
3,223.210797 ₽
32,232.14 ₽
100
3,040.764849 ₽
304,076.51 ₽
500
2,868.646140 ₽
1,434,323.08 ₽
1000
2,706.269876 ₽
2,706,269.92 ₽

Цена за единицу: 3,416.603407 ₽

Итоговая цена: 3,416.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXYK120N120C3	иAPT75GN120LG	иIXGK120N120A3
Производитель:	IXYS	Microsemi Corporation	IXYS
Описание:	IGBT 1200V 240A 1500W TO264	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	IGBT 1200V 240A 830W TO264
Срок поставки от производителя	17 Weeks	24 Weeks	30 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA	TO-264-3, TO-264AA
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.2kV	1.2kV	1.2kV
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	600V, 100A, 1 Ω, 15V	800V, 75A, 1 Ω, 15V	960V, 100A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	GenX3™, XPT™	-	GenX3™
Опубликовано	2013	1999	2009
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Максимальная потеря мощности	1.5kW	833W	830W
Код JESD-30	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	1.5kW	-	830W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	1500W	-	-
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	3.2V	1.2kV	1.2kV
Максимальный ток сбора	240A	200A	240A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1200V	1200V	1200V
Время включения	105 ns	101 ns	105 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 120A	2.1V @ 15V, 75A	2.2V @ 15V, 100A
Время выключения (toff)	346 ns	925 ns	1365 ns
Зарядная мощность	412nC	425nC	420nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	700A	225A	600A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	35ns/176ns	60ns/620ns	40ns/490ns
Переключаемый энергопотребление	6.75mJ (on), 5.1mJ (off)	8620μJ (on), 11400μJ (off)	10mJ (on), 33mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	30V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5V	6.5V	5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	10.6g	10.000011g
Время отключения	-	620 ns	490 ns
Код JESD-609	-	e1	e1
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Код ECCN	-	EAR99	-
Конечная обработка контакта	-	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	TIN SILVER COPPER
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	LOW CONDUCTION LOSS
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	1.2kV	-
Моментальный ток	-	200A	-
Число контактов	-	3	3
Время задержки включения	-	60 ns	40 ns
Прямоходящий ток коллектора	-	200A	-
Тип ИGBT	-	Trench Field Stop	PT
Высота	-	5.21mm	-
Длина	-	26.49mm	-
Ширина	-	20.5mm	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Количество контактов	-	-	3
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	-	-	unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	NOT SPECIFIED
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IXYB82N120C3H1	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 164A 1040W PLUS264	Для сравнения
APT75GN120LG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264	Для сравнения
IXGK120N120A3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 240A 830W TO264	Для сравнения
IXYK100N120C3	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-264-3, TO-264AA	IGBT 1200V 188A 1150W TO264	Для сравнения