Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXGT6N170 Альтернативные части: IXA12IF1200TC
IXGT6N170IXYS
В наличии: 6
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,201.232088 ₽
1,201.24 ₽
10
1,133.237843 ₽
11,332.42 ₽
100
1,069.092239 ₽
106,909.20 ₽
500
1,008.577582 ₽
504,288.74 ₽
1000
951.488352 ₽
951,488.32 ₽
Цена за единицу: 1,201.232088 ₽
Итоговая цена: 1,201.24 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | - |
Корпус / Кейс | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3 |
Вес | 4.500005g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.7kV | 1.2kV |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 1360V, 6A, 33 Ω, 15V | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tube | - |
Опубликовано | 2006 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | - |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | - |
Количество выводов | 2 | 2 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | PURE TIN |
Максимальная потеря мощности | 75W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | IXG*6N170 | - |
Число контактов | 4 | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Сокетная связка | COLLECTOR | - |
Входной тип | Standard | - |
Мощность - Макс | 75W | - |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.7kV | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 12A | 20A |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1700V | - |
Время включения | 85 ns | 110 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 6A | - |
Время выключения (toff) | 600 ns | 350 ns |
Тип ИGBT | NPT | - |
Зарядная мощность | 20nC | - |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 24A | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 40ns/250ns | - |
Переключаемый энергопотребление | 1.5mJ (off) | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5V | 6.5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Количество контактов | - | 3 |
Максимальная мощность рассеяния | - | 85W |
Код ECCN | - | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Распад мощности | - | 85W |
Время обратной рекомпенсации | - | 350 ns |
Код JEDEC-95 | - | TO-268AA |
Высота | - | 5.1mm |
Длина | - | 16.05mm |
Ширина | - | 14mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK | Для сравнения |
 | IXA4IF1200TC | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3 | - | Для сравнения |
 | IXA12IF1200TC | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | Для сравнения |