IXGT6N170 Альтернативные части: APT25GN120SG

IXGT6N170IXYS

В наличии: 6

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1,201.232088 ₽
1,201.24 ₽
10
1,133.237843 ₽
11,332.42 ₽
100
1,069.092239 ₽
106,909.20 ₽
500
1,008.577582 ₽
504,288.74 ₽
1000
951.488352 ₽
951,488.32 ₽

Цена за единицу: 1,201.232088 ₽

Итоговая цена: 1,201.24 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXGT6N170	иAPT25GN120SG
Производитель:	IXYS	Microsemi Corporation
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Срок поставки от производителя	24 Weeks	25 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	4.500005g	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.7kV	1.2kV
Количество элементов	1	1
Условия испытания	1360V, 6A, 33 Ω, 15V	800V, 25A, 1 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Опубликовано	2006	1999
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	75W	272W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	245
Код соответствия REACH	unknown	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	30
Основной номер части	IXG*6N170	-
Число контактов	4	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard
Мощность - Макс	75W	-
Применение транзистора	MOTOR CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.7kV	1.2kV
Максимальный ток сбора	12A	67A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1700V	1200V
Время включения	85 ns	39 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	4V @ 15V, 6A	2.1V @ 15V, 25A
Время выключения (toff)	600 ns	560 ns
Тип ИGBT	NPT	Trench Field Stop
Зарядная мощность	20nC	155nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	24A	75A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	40ns/250ns	22ns/280ns
Переключаемый энергопотребление	1.5mJ (off)	-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5V	6.5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin
Количество контактов	-	3
Время отключения	-	280 ns
Код ECCN	-	EAR99
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY
Время задержки включения	-	22 ns
Прямоходящий ток коллектора	-	67A
Высота	-	5.08mm
Длина	-	16.05mm
Ширина	-	13.99mm
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT25GN120SG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK	Для сравнения
IXA4IF1200TC	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3	-	Для сравнения
IXA12IF1200TC	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3	IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins	Для сравнения