IXGT10N170 Альтернативные части: IXBT6N170 ,IXBT10N170

IXGT10N170IXYS

В наличии: 2

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
1,295.258242 ₽
1,295.19 ₽
10
1,221.941731 ₽
12,219.37 ₽
100
1,152.775234 ₽
115,277.47 ₽
500
1,087.523764 ₽
543,761.81 ₽
1000
1,025.965797 ₽
1,025,965.80 ₽

Цена за единицу: 1,295.258242 ₽

Итоговая цена: 1,295.19 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXGT10N170	иIXBT6N170	иIXBT10N170
Производитель:	IXYS	IXYS	IXYS
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Срок поставки от производителя	24 Weeks	24 Weeks	24 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	4.500005g	4.500005g	4.500005g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.7kV	1.7kV	1.7kV
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2008	2008	2003
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	PURE TIN
Максимальная потеря мощности	110W	75W	140W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Основной номер части	IXG*10N170	-	-
Число контактов	4	4	4
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	110W	75W	140W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	MOTOR CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Напряжение стока-исток (Vdss)	1.7kV	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.7kV	1.7kV	1.7kV
Максимальный ток сбора	20A	12A	20A
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1700V	1700V	1700V
Время включения	107 ns	104 ns	63 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	4V @ 15V, 10A	3.4V @ 15V, 6A	3.8V @ 15V, 10A
Время выключения (toff)	240 ns	700 ns	1800 ns
Тип ИGBT	NPT	-	-
Зарядная мощность	32nC	17nC	30nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	70A	36A	40A
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	-
Серия	-	BIMOSFET™	BIMOSFET™
Дополнительная Характеристика	-	LOW CONDUCTION LOSS	-
Время обратной рекомпенсации	-	1.08 μs	360 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	5.5V	5V
Условия испытания	-	-	1360V, 10A, 56 Ω, 15V
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-	-	35ns/500ns
Переключаемый энергопотребление	-	-	6mJ (off)

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT25GN120SG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK	Для сравнения
IXBT6N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXBT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXA12IF1200TC	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3	IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins	Для сравнения