Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXGT10N170 Альтернативные части: IXBT10N170
IXGT10N170IXYS
В наличии: 2
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,295.258242 ₽
1,295.19 ₽
10
1,221.941731 ₽
12,219.37 ₽
100
1,152.775234 ₽
115,277.47 ₽
500
1,087.523764 ₽
543,761.81 ₽
1000
1,025.965797 ₽
1,025,965.80 ₽
Цена за единицу: 1,295.258242 ₽
Итоговая цена: 1,295.19 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | 24 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Вес | 4.500005g | 4.500005g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.7kV | 1.7kV |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2008 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | PURE TIN |
Максимальная потеря мощности | 110W | 140W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | unknown |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | IXG*10N170 | - |
Число контактов | 4 | 4 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 110W | 140W |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | MOTOR CONTROL | POWER CONTROL |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 1.7kV | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.7kV | 1.7kV |
Максимальный ток сбора | 20A | 20A |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1700V | 1700V |
Время включения | 107 ns | 63 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 10A | 3.8V @ 15V, 10A |
Время выключения (toff) | 240 ns | 1800 ns |
Тип ИGBT | NPT | - |
Зарядная мощность | 32nC | 30nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 70A | 40A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Условия испытания | - | 1360V, 10A, 56 Ω, 15V |
Серия | - | BIMOSFET™ |
Время обратной рекомпенсации | - | 360 ns |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | 35ns/500ns |
Переключаемый энергопотребление | - | 6mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 5V |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK | Для сравнения |
 | IXBT6N170 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |
| IXBT10N170 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |
 | IXA12IF1200TC | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3 | IXYS SEMICONDUCTOR IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 A, 2.1 V, 85 W, 1.2 kV, TO-268AA, 3 Pins | Для сравнения |