IXBT6N170 Альтернативные части: IXGT6N170 ,IXGT10N170

IXBT6N170IXYS

В наличии: 295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
875.018901 ₽
875.00 ₽
10
825.489574 ₽
8,254.95 ₽
100
778.763750 ₽
77,876.37 ₽
500
734.682761 ₽
367,341.35 ₽
1000
693.096909 ₽
693,096.98 ₽

Цена за единицу: 875.018901 ₽

Итоговая цена: 875.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXBT6N170	иIXGT6N170	иIXGT10N170
Производитель:	IXYS	IXYS	IXYS
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Срок поставки от производителя	24 Weeks	24 Weeks	24 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	4.500005g	4.500005g	4.500005g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.7kV	1.7kV	1.7kV
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	BIMOSFET™	-	-
Опубликовано	2008	2006	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	-	-
Максимальная потеря мощности	75W	75W	110W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	unknown	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Число контактов	4	4	4
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	75W	-	110W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.7kV	1.7kV	1.7kV
Максимальный ток сбора	12A	12A	20A
Время обратной рекомпенсации	1.08 μs	-	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1700V	1700V	1700V
Время включения	104 ns	85 ns	107 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.4V @ 15V, 6A	4V @ 15V, 6A	4V @ 15V, 10A
Время выключения (toff)	700 ns	600 ns	240 ns
Зарядная мощность	17nC	20nC	32nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	36A	24A	70A
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.5V	5V	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Условия испытания	-	1360V, 6A, 33 Ω, 15V	-
Основной номер части	-	IXG*6N170	IXG*10N170
Мощность - Макс	-	75W	-
Тип ИGBT	-	NPT	NPT
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-	40ns/250ns	-
Переключаемый энергопотребление	-	1.5mJ (off)	-
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	-	1.7kV

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT25GN120SG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK	Для сравнения
IXGT6N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXGT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXBT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения