IXBT6N170 Альтернативные части: APT25GN120SG

IXBT6N170IXYS

В наличии: 295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
875.018901 ₽
875.00 ₽
10
825.489574 ₽
8,254.95 ₽
100
778.763750 ₽
77,876.37 ₽
500
734.682761 ₽
367,341.35 ₽
1000
693.096909 ₽
693,096.98 ₽

Цена за единицу: 875.018901 ₽

Итоговая цена: 875.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXBT6N170	иAPT25GN120SG
Производитель:	IXYS	Microsemi Corporation
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
Срок поставки от производителя	24 Weeks	25 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	4.500005g	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.7kV	1.2kV
Количество элементов	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube
Серия	BIMOSFET™	-
Опубликовано	2008	1999
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	75W	272W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	245
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	30
Число контактов	4	3
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	75W	-
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.7kV	1.2kV
Максимальный ток сбора	12A	67A
Время обратной рекомпенсации	1.08 μs	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1700V	1200V
Время включения	104 ns	39 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.4V @ 15V, 6A	2.1V @ 15V, 25A
Время выключения (toff)	700 ns	560 ns
Зарядная мощность	17nC	155nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	36A	75A
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.5V	6.5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Покрытие контактов	-	Tin
Количество контактов	-	3
Условия испытания	-	800V, 25A, 1 Ω, 15V
Время отключения	-	280 ns
Код ECCN	-	EAR99
Время задержки включения	-	22 ns
Прямоходящий ток коллектора	-	67A
Тип ИGBT	-	Trench Field Stop
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-	22ns/280ns
Высота	-	5.08mm
Длина	-	16.05mm
Ширина	-	13.99mm
Корпусировка на излучение	-	No
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT25GN120SG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK	Для сравнения
IXGT6N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXGT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXBT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения