IXBT6N170 Альтернативные части: IXGT10N170 ,IXBT10N170

IXBT6N170IXYS

В наличии: 295

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
875.018901 ₽
875.00 ₽
10
825.489574 ₽
8,254.95 ₽
100
778.763750 ₽
77,876.37 ₽
500
734.682761 ₽
367,341.35 ₽
1000
693.096909 ₽
693,096.98 ₽

Цена за единицу: 875.018901 ₽

Итоговая цена: 875.00 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIXBT6N170	иIXGT10N170	иIXBT10N170
Производитель:	IXYS	IXYS	IXYS
Описание:	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Срок поставки от производителя	24 Weeks	24 Weeks	24 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	4.500005g	4.500005g	4.500005g
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	1.7kV	1.7kV	1.7kV
Количество элементов	1	1	1
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Серия	BIMOSFET™	-	BIMOSFET™
Опубликовано	2008	2008	2003
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	PURE TIN
Дополнительная Характеристика	LOW CONDUCTION LOSS	-	-
Максимальная потеря мощности	75W	110W	140W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	unknown
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Число контактов	4	4	4
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	75W	110W	140W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	MOTOR CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.7kV	1.7kV	1.7kV
Максимальный ток сбора	12A	20A	20A
Время обратной рекомпенсации	1.08 μs	-	360 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	1700V	1700V	1700V
Время включения	104 ns	107 ns	63 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3.4V @ 15V, 6A	4V @ 15V, 10A	3.8V @ 15V, 10A
Время выключения (toff)	700 ns	240 ns	1800 ns
Зарядная мощность	17nC	32nC	30nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	36A	70A	40A
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	5.5V	-	5V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Основной номер части	-	IXG*10N170	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	1.7kV	-
Тип ИGBT	-	NPT	-
Без свинца	-	Lead Free	-
Условия испытания	-	-	1360V, 10A, 56 Ω, 15V
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	-	-	35ns/500ns
Переключаемый энергопотребление	-	-	6mJ (off)

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
APT25GN120SG	Microsemi Corporation	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK	Для сравнения
IXGT6N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXGT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения
IXBT10N170	IXYS	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268	Для сравнения