Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IXBT6N170 Альтернативные части: IXBT10N170 ,APT25GN120SG
IXBT6N170IXYS
В наличии: 295
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
875.018901 ₽
875.00 ₽
10
825.489574 ₽
8,254.95 ₽
100
778.763750 ₽
77,876.37 ₽
500
734.682761 ₽
367,341.35 ₽
1000
693.096909 ₽
693,096.98 ₽
Цена за единицу: 875.018901 ₽
Итоговая цена: 875.00 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
Срок поставки от производителя | 24 Weeks | 24 Weeks | 25 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Вес | 4.500005g | 4.500005g | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 1.7kV | 1.7kV | 1.2kV |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Серия | BIMOSFET™ | BIMOSFET™ | - |
Опубликовано | 2008 | 2003 | 1999 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 | 2 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | PURE TIN | - |
Дополнительная Характеристика | LOW CONDUCTION LOSS | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 75W | 140W | 272W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 245 |
Код соответствия REACH | not_compliant | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
Число контактов | 4 | 4 | 3 |
Код JESD-30 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 75W | 140W | - |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.7kV | 1.7kV | 1.2kV |
Максимальный ток сбора | 12A | 20A | 67A |
Время обратной рекомпенсации | 1.08 μs | 360 ns | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 1700V | 1700V | 1200V |
Время включения | 104 ns | 63 ns | 39 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 6A | 3.8V @ 15V, 10A | 2.1V @ 15V, 25A |
Время выключения (toff) | 700 ns | 1800 ns | 560 ns |
Зарядная мощность | 17nC | 30nC | 155nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 36A | 40A | 75A |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.5V | 5V | 6.5V |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Условия испытания | - | 1360V, 10A, 56 Ω, 15V | 800V, 25A, 1 Ω, 15V |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | - | 35ns/500ns | 22ns/280ns |
Переключаемый энергопотребление | - | 6mJ (off) | - |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Количество контактов | - | - | 3 |
Время отключения | - | - | 280 ns |
Код ECCN | - | - | EAR99 |
Время задержки включения | - | - | 22 ns |
Прямоходящий ток коллектора | - | - | 67A |
Тип ИGBT | - | - | Trench Field Stop |
Высота | - | - | 5.08mm |
Длина | - | - | 16.05mm |
Ширина | - | - | 13.99mm |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | APT25GN120SG | Microsemi Corporation | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 67A 3-Pin(2+Tab) D3PAK | Для сравнения |
 | IXGT6N170 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 6A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |
| IXGT10N170 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |
| IXBT10N170 | IXYS | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin(2+Tab) TO-268 | Для сравнения |