IRGP6650DPBF Альтернативные части: IRG4PC50SDPBF ,FGH40N60SMD-F085

IRGP6650DPBFInfineon Technologies

  • IRGP6650DPBFInfineon Technologies
  • IRG4PC50SDPBFInfineon Technologies
  • FGH40N60SMD-F085ON Semiconductor

В наличии: 12315

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    315.865316 ₽

    315.80 ₽

  • 10

    297.986154 ₽

    2,979.81 ₽

  • 100

    281.119011 ₽

    28,111.95 ₽

  • 500

    265.206621 ₽

    132,603.30 ₽

  • 1000

    250.194959 ₽

    250,194.92 ₽

Цена за единицу: 315.865316 ₽

Итоговая цена: 315.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 80A 306W TO247AC
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
Количество контактов
3
-
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
400V, 35A, 10 Ω, 15V
480V, 41A, 5 Ω, 15V
400V, 40A, 6 Ω, 15V
Рабочая температура
-40°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2014
2004
2016
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
-
-
Максимальная потеря мощности
306W
200W
349W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
250
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
30
NOT SPECIFIED
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
306W
-
349W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
1.95V
1.36V
600V
Максимальный ток сбора
80A
70A
80A
Время обратной рекомпенсации
50 ns
50 ns
47 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 35A
1.36V @ 15V, 41A
2.5V @ 15V, 40A
Зарядная мощность
75nC
180nC
180nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
105A
140A
120A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
40ns/105ns
33ns/650ns
18ns/110ns
Переключаемый энергопотребление
300μJ (on), 630μJ (off)
720μJ (on), 8.27mJ (off)
920μJ (on), 300μJ (off)
Высота
20.7mm
-
-
Длина
15.87mm
-
-
Ширина
5.31mm
-
-
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя
-
52 Weeks
6 Weeks
Материал элемента транзистора
-
SILICON
SILICON
Количество элементов
-
1
1
Время отключения
-
980 ns
-
Код JESD-609
-
e3
e3
Количество выводов
-
3
3
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Tin (Sn)
Код JESD-30
-
R-PSFM-T3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Распад мощности
-
200W
-
Сокетная связка
-
COLLECTOR
COLLECTOR
Время задержки включения
-
33 ns
-
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Код JEDEC-95
-
TO-247AC
TO-247AB
Время включения
-
62 ns
43.7 ns
Время выключения (toff)
-
1700 ns
172.5 ns
Без свинца
-
Lead Free
-
Состояние жизненного цикла
-
-
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Вес
-
-
6.39g
Серия
-
-
Automotive, AEC-Q101
Безоловая кодировка
-
-
yes
Код соответствия REACH
-
-
not_compliant
Применение транзистора
-
-
POWER CONTROL
Тип ИGBT
-
-
Field Stop
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
-
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
-
6V
Время падения максимальное (tf)
-
-
81ns