Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRGP6650DPBF Альтернативные части: IRG4PC50FD-EPBF
IRGP6650DPBFInfineon Technologies
В наличии: 12315
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
315.865316 ₽
315.80 ₽
10
297.986154 ₽
2,979.81 ₽
100
281.119011 ₽
28,111.95 ₽
500
265.206621 ₽
132,603.30 ₽
1000
250.194959 ₽
250,194.92 ₽
Цена за единицу: 315.865316 ₽
Итоговая цена: 315.80 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 80A 306W TO247AC | IGBT 600V 70A 200W TO247AD |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 35A, 10 Ω, 15V | 480V, 39A, 5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -40°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2014 | 2004 |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 306W | 200W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 306W | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.95V | 1.6V |
Максимальный ток сбора | 80A | 70A |
Время обратной рекомпенсации | 50 ns | 50 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 35A | 1.6V @ 15V, 39A |
Зарядная мощность | 75nC | 190nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 105A | 280A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 40ns/105ns | 55ns/240ns |
Переключаемый энергопотребление | 300μJ (on), 630μJ (off) | 1.5mJ (on), 2.4mJ (off) |
Высота | 20.7mm | 20.701mm |
Длина | 15.87mm | 15.875mm |
Ширина | 5.31mm | 5.3086mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 22 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | ULTRA FAST SOFT RECOVERY |
Распад мощности | - | 200W |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Код JEDEC-95 | - | TO-247AD |
Время включения | - | 86 ns |
Время выключения (toff) | - | 660 ns |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG4PC50FDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AC | Для сравнения |
| IRG4PC50FD-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AD | Для сравнения |
| IRG4PC50SDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 200W TO247AC | Для сравнения |
 | FGH40N60SMD-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail | Для сравнения |