IRGP6650DPBF Альтернативные части: IRG4PC50FD-EPBF ,IRG4PC50SDPBF

IRGP6650DPBFInfineon Technologies

В наличии: 12315

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
315.865316 ₽
315.80 ₽
10
297.986154 ₽
2,979.81 ₽
100
281.119011 ₽
28,111.95 ₽
500
265.206621 ₽
132,603.30 ₽
1000
250.194959 ₽
250,194.92 ₽

Цена за единицу: 315.865316 ₽

Итоговая цена: 315.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRGP6650DPBF	иIRG4PC50FD-EPBF	иIRG4PC50SDPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 80A 306W TO247AC	IGBT 600V 70A 200W TO247AD	IGBT 600V 70A 200W TO247AC
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 35A, 10 Ω, 15V	480V, 39A, 5 Ω, 15V	480V, 41A, 5 Ω, 15V
Рабочая температура	-40°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2014	2004	2004
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Максимальная потеря мощности	306W	200W	200W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	250
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	30
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	306W	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.95V	1.6V	1.36V
Максимальный ток сбора	80A	70A	70A
Время обратной рекомпенсации	50 ns	50 ns	50 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.95V @ 15V, 35A	1.6V @ 15V, 39A	1.36V @ 15V, 41A
Зарядная мощность	75nC	190nC	180nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	105A	280A	140A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	40ns/105ns	55ns/240ns	33ns/650ns
Переключаемый энергопотребление	300μJ (on), 630μJ (off)	1.5mJ (on), 2.4mJ (off)	720μJ (on), 8.27mJ (off)
Высота	20.7mm	20.701mm	-
Длина	15.87mm	15.875mm	-
Ширина	5.31mm	5.3086mm	-
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Срок поставки от производителя	-	22 Weeks	52 Weeks
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Безоловая кодировка	-	yes	-
Количество выводов	-	3	3
Дополнительная Характеристика	-	ULTRA FAST SOFT RECOVERY	-
Распад мощности	-	200W	200W
Сокетная связка	-	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	-	POWER CONTROL	-
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	TO-247AD	TO-247AC
Время включения	-	86 ns	62 ns
Время выключения (toff)	-	660 ns	1700 ns
Корпусировка на излучение	-	No	-
Время отключения	-	-	980 ns
Код JESD-609	-	-	e3
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Код JESD-30	-	-	R-PSFM-T3
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Время задержки включения	-	-	33 ns
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRG4PC50FDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
IRG4PC50FD-EPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AD	Для сравнения
IRG4PC50SDPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 200W TO247AC	Для сравнения
FGH40N60SMD-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail	Для сравнения