IRGB4620DPBF Альтернативные части: NGTB15N60R2FG ,FGP15N60UNDF

IRGB4620DPBFInfineon Technologies

В наличии: 317

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
159.923077 ₽
159.89 ₽
10
150.870824 ₽
1,508.65 ₽
100
142.330975 ₽
14,233.10 ₽
500
134.274505 ₽
67,137.23 ₽
1000
126.674052 ₽
126,674.04 ₽

Цена за единицу: 159.923077 ₽

Итоговая цена: 159.89 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRGB4620DPBF	иNGTB15N60R2FG	иFGP15N60UNDF
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 32A 140W TO220	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT
Срок поставки от производителя	16 Weeks	4 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 12A, 22 Ω, 15V	300V, 15A, 30 Ω, 15V	400V, 15A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-40°C~175°C TJ	175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2013	2007	2013
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Максимальная потеря мощности	140W	54W	178W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	140W	54W	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.85V	2.1V	600V
Максимальный ток сбора	32A	24A	30A
Время обратной рекомпенсации	68 ns	95 ns	82.4ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 12A	2.1V @ 15V, 15A	2.7V @ 15V, 15A
Зарядная мощность	25nC	80nC	43nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	36A	60A	45A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	31ns/83ns	70ns/190ns	9.3ns/54.8ns
Переключаемый энергопотребление	75μJ (on), 225μJ (off)	550μJ (on), 220μJ (off)	370μJ (on), 67μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	-	8.5V
Высота	16.51mm	15.87mm	16.51mm
Длина	10.67mm	10.16mm	10.67mm
Ширина	4.83mm	4.7mm	4.83mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Вес	-	-	1.8g
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Код JESD-609	-	-	e3
Количество выводов	-	-	3
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Распад мощности	-	-	178W
Применение транзистора	-	-	MOTOR CONTROL
Код JEDEC-95	-	-	TO-220AB
Время включения	-	-	18.8 ns
Время выключения (toff)	-	-	69.8 ns
Тип ИGBT	-	-	NPT
Время падения максимальное (tf)	-	-	12.8ns
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGP15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT	Для сравнения
STGF20H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 40A 37W TO220FP	Для сравнения
STGF10NB60SD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения
NGTB15N60R2FG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	Для сравнения