Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRGB4620DPBF Альтернативные части: STGF10NB60SD
IRGB4620DPBFInfineon Technologies
В наличии: 317
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
159.923077 ₽
159.89 ₽
10
150.870824 ₽
1,508.65 ₽
100
142.330975 ₽
14,233.10 ₽
500
134.274505 ₽
67,137.23 ₽
1000
126.674052 ₽
126,674.04 ₽
Цена за единицу: 159.923077 ₽
Итоговая цена: 159.89 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 32A 140W TO220 | STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 8 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 12A, 22 Ω, 15V | 480V, 10A, 1k Ω, 15V |
Рабочая температура | -40°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Опубликовано | 2013 | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 140W | 25W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 140W | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1.85V | 600V |
Максимальный ток сбора | 32A | 23A |
Время обратной рекомпенсации | 68 ns | 37ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 12A | 1.75V @ 15V, 10A |
Зарядная мощность | 25nC | 33nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 36A | 80A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31ns/83ns | 700ns/1.2μs |
Переключаемый энергопотребление | 75μJ (on), 225μJ (off) | 600μJ (on), 5mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 6.5V | 5V |
Высота | 16.51mm | 20mm |
Длина | 10.67mm | 10.4mm |
Ширина | 4.83mm | 4.6mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Серия | - | PowerMESH™ |
Код JESD-609 | - | e3 |
Количество выводов | - | 3 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) - annealed |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V |
Моментальный ток | - | 10A |
Основной номер части | - | STGF10 |
Число контактов | - | 3 |
Распад мощности | - | 25W |
Сокетная связка | - | ISOLATED |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL |
Время подъема | - | 460ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 600V |
Непрерывный ток стока (ID) | - | 20A |
Код JEDEC-95 | - | TO-220AB |
Максимальное напряжение разрушения | - | 600V |
Время включения | - | 1160 ns |
Время выключения (toff) | - | 3100 ns |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGP15N60UNDF | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT | Для сравнения |
 | STGF20H60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 40A 37W TO220FP | Для сравнения |
| STGF10NB60SD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | Для сравнения |
 | NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins | Для сравнения |