IRGB4620DPBF Альтернативные части: FGP15N60UNDF ,STGF20H60DF

IRGB4620DPBFInfineon Technologies

В наличии: 317

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
159.923077 ₽
159.89 ₽
10
150.870824 ₽
1,508.65 ₽
100
142.330975 ₽
14,233.10 ₽
500
134.274505 ₽
67,137.23 ₽
1000
126.674052 ₽
126,674.04 ₽

Цена за единицу: 159.923077 ₽

Итоговая цена: 159.89 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRGB4620DPBF	иFGP15N60UNDF	иSTGF20H60DF
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 32A 140W TO220	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT	IGBT 600V 40A 37W TO220FP
Срок поставки от производителя	16 Weeks	4 Weeks	20 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 12A, 22 Ω, 15V	400V, 15A, 10 Ω, 15V	400V, 20A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-40°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2013	2013	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	140W	178W	37W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	140W	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.85V	600V	600V
Максимальный ток сбора	32A	30A	40A
Время обратной рекомпенсации	68 ns	82.4ns	90 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1.85V @ 15V, 12A	2.7V @ 15V, 15A	2V @ 15V, 20A
Зарядная мощность	25nC	43nC	115nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	36A	45A	80A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	31ns/83ns	9.3ns/54.8ns	42.5ns/177ns
Переключаемый энергопотребление	75μJ (on), 225μJ (off)	370μJ (on), 67μJ (off)	209μJ (on), 261μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	6.5V	8.5V	-
Высота	16.51mm	16.51mm	15.75mm
Длина	10.67mm	10.67mm	10.4mm
Ширина	4.83mm	4.83mm	4.6mm
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)	-
Вес	-	1.8g	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	-
Количество элементов	-	1	-
Код JESD-609	-	e3	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Количество выводов	-	3	-
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	-
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95	-
Распад мощности	-	178W	37W
Применение транзистора	-	MOTOR CONTROL	-
Код JEDEC-95	-	TO-220AB	-
Время включения	-	18.8 ns	-
Время выключения (toff)	-	69.8 ns	-
Тип ИGBT	-	NPT	Trench Field Stop
Время падения максимальное (tf)	-	12.8ns	-
Корпусировка на излучение	-	No	No
Без свинца	-	Lead Free	-
Основной номер части	-	-	STGF20

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGP15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT	Для сравнения
STGF20H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 40A 37W TO220FP	Для сравнения
STGF10NB60SD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения
NGTB15N60R2FG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	Для сравнения