IRG4RC10UTRPBF Альтернативные части: SGR6N60UFTF ,SGR6N60UFTM

IRG4RC10UTRPBFInfineon Technologies

В наличии: 1262

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
128.566374 ₽
128.57 ₽
10
121.289038 ₽
1,212.91 ₽
100
114.423599 ₽
11,442.31 ₽
500
107.946827 ₽
53,973.35 ₽
1000
101.836662 ₽
101,836.68 ₽

Цена за единицу: 128.566374 ₽

Итоговая цена: 128.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRG4RC10UTRPBF	иSGR6N60UFTF	иSGR6N60UFTM
Производитель:	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	IGBT 600V 6A 30W DPAK	IGBT 600V 6A 30W DPAK
Срок поставки от производителя	13 Weeks	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3	3
Вес	350.003213mg	-	260.37mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	-	-
Условия испытания	480V, 5A, 100 Ω, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	-	-
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	-	-
Дополнительная Характеристика	ULTRA FAST	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	38W	30W	30W
Форма вывода	GULL WING	-	-
Моментальный ток	8.5A	3A	3A
Основной номер части	IRG4RC10UPBF	SG*6N60	SG*6N60
Код JESD-30	R-PSSO-G2	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	38W	30W	30W
Сокетная связка	COLLECTOR	-	-
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	-	-
Время подъема	11ns	-	-
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.6V	600V	600V
Максимальный ток сбора	8.5A	6A	6A
Код JEDEC-95	TO-252AA	-	-
Максимальное напряжение разрушения	600V	-	-
Время включения	32 ns	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 5A	2.6V @ 15V, 3A	2.6V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)	330 ns	-	-
Зарядная мощность	15nC	15nC	15nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	34A	25A	25A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	19ns/116ns	15ns/60ns	15ns/60ns
Переключаемый энергопотребление	80μJ (on), 160μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)
Высота	1.2446mm	-	-
Длина	6.7056mm	-	-
Ширина	6.223mm	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free	Lead Free

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGD3N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
IRG4RC10KDTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 9A 38W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения