IRG4RC10UTRPBF Альтернативные части: IRG4RC10KDTRPBF

IRG4RC10UTRPBFInfineon Technologies

В наличии: 1262

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
128.566374 ₽
128.57 ₽
10
121.289038 ₽
1,212.91 ₽
100
114.423599 ₽
11,442.31 ₽
500
107.946827 ₽
53,973.35 ₽
1000
101.836662 ₽
101,836.68 ₽

Цена за единицу: 128.566374 ₽

Итоговая цена: 128.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRG4RC10UTRPBF	иIRG4RC10KDTRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	IGBT 600V 8.5A 38W DPAK	IGBT 600V 9A 38W DPAK
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	3	3
Вес	350.003213mg	350.003213mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V
Количество элементов	1	1
Условия испытания	480V, 5A, 100 Ω, 15V	480V, 5A, 100 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2004
Состояние изделия	Obsolete	Last Time Buy
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2
Дополнительная Характеристика	ULTRA FAST	ULTRA FAST SOFT RECOVERY
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	-
Максимальная потеря мощности	38W	38W
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	8.5A	-
Основной номер части	IRG4RC10UPBF	IRG4RC10KDPBF
Код JESD-30	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	38W	38W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Входной тип	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	MOTOR CONTROL
Время подъема	11ns	24ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	2.6V	2.62V
Максимальный ток сбора	8.5A	9A
Код JEDEC-95	TO-252AA	TO-252AA
Максимальное напряжение разрушения	600V	600V
Время включения	32 ns	78 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 5A	2.62V @ 15V, 5A
Время выключения (toff)	330 ns	410 ns
Зарядная мощность	15nC	19nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	34A	18A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	19ns/116ns	49ns/97ns
Переключаемый энергопотребление	80μJ (on), 160μJ (off)	250μJ (on), 140μJ (off)
Высота	1.2446mm	1.2446mm
Длина	6.7056mm	6.7056mm
Ширина	6.223mm	6.223mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free
Код JESD-609	-	e3
Завершение	-	SMD/SMT
Код ECCN	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Время обратной рекомпенсации	-	28 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	6.5V
Время падения максимальное (tf)	-	210ns
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGD3N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
IRG4RC10KDTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 9A 38W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения
SGR6N60UFTM	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	IGBT 600V 6A 30W DPAK	Для сравнения