IRFH8325TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 75
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
57.203022 ₽
57.14 ₽
10
53.965110 ₽
539.70 ₽
100
50.910481 ₽
5,091.07 ₽
500
48.028764 ₽
24,014.42 ₽
1000
45.310151 ₽
45,310.16 ₽
Цена за единицу: 57.203022 ₽
Итоговая цена: 57.14 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 21A Ta 82A Tc | 27A Ta 120A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 54W Tc | 3.6W Ta 59W Tc |
Время отключения | 14 ns | 18 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2004 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 3.6W | 3.6W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 12 ns | 15 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5m Ω @ 20A, 10V | 3.1m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2487pF @ 10V | 3180pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 32nC @ 10V | 41nC @ 10V |
Время подъема | 16ns | 33ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 7.1 ns | 12 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 21A | 27A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.005Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 94 mJ | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 50A |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 400A |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V |
REACH SVHC | - | No SVHC |