Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRFH8325TRPBF Альтернативные части: IRFH3702TRPBF
IRFH8325TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 75
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
57.203022 ₽
57.14 ₽
10
53.965110 ₽
539.70 ₽
100
50.910481 ₽
5,091.07 ₽
500
48.028764 ₽
24,014.42 ₽
1000
45.310151 ₽
45,310.16 ₽
Цена за единицу: 57.203022 ₽
Итоговая цена: 57.14 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 21A Ta 82A Tc | 16A Ta 42A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 54W Tc | 2.8W Ta |
Время отключения | 14 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2004 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | S-PDSO-N3 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 3.6W | 2.8W |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 12 ns | 9.6 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 5m Ω @ 20A, 10V | 7.1m Ω @ 16A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2487pF @ 10V | 1510pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 32nC @ 10V | 14nC @ 4.5V |
Время подъема | 16ns | 15ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 7.1 ns | 5.8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 21A | 16A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.005Ohm | 0.0071Ohm |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 94 mJ | 77 mJ |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Завершение | - | SMD/SMT |
Пороговое напряжение | - | 1.8V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 120A |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V |
Высота | - | 939.8μm |
Длина | - | 2.9972mm |
Ширина | - | 2.9972mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
 | IRFH4226TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6 | Для сравнения |
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | Для сравнения |
| IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |