IRFH8324TRPBF Альтернативные части: IRFH8325TRPBF ,IRFH8318TRPBF

IRFH8324TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 15

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
116.025419 ₽
116.06 ₽
10
109.457947 ₽
1,094.55 ₽
100
103.262207 ₽
10,326.26 ₽
500
97.417179 ₽
48,708.66 ₽
1000
91.903003 ₽
91,903.07 ₽

Цена за единицу: 116.025419 ₽

Итоговая цена: 116.06 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRFH8324TRPBF	иIRFH8325TRPBF	иIRFH8318TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN	MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	23A Ta 90A Tc	21A Ta 82A Tc	27A Ta 120A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3.6W Ta 54W Tc	3.6W Ta 54W Tc	3.6W Ta 59W Tc
Время отключения	14 ns	14 ns	18 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2012	2004	2012
Код JESD-609	e3	e3	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5	5
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	FLAT	FLAT
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	3.6W	3.6W	3.6W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	13 ns	12 ns	15 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.1m Ω @ 20A, 10V	5m Ω @ 20A, 10V	3.1m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 50μA	2.35V @ 50μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2380pF @ 10V	2487pF @ 10V	3180pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	31nC @ 10V	32nC @ 10V	41nC @ 10V
Время подъема	26ns	16ns	33ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8.5 ns	7.1 ns	12 ns
Непрерывный ток стока (ID)	23A	21A	27A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	50A	-	50A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	200A	-	400A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	94 mJ	94 mJ	-
Номинальное Vgs	1.8 V	-	1.8 V
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.005Ohm	-

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRFH8325TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH8318TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH3702TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	Для сравнения
IRFH8318TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN	Для сравнения