Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRFH8324TRPBF Альтернативные части: IRFH8318TR2PBF
IRFH8324TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 15
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
116.025419 ₽
116.06 ₽
10
109.457947 ₽
1,094.55 ₽
100
103.262207 ₽
10,326.26 ₽
500
97.417179 ₽
48,708.66 ₽
1000
91.903003 ₽
91,903.07 ₽
Цена за единицу: 116.025419 ₽
Итоговая цена: 116.06 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 23A Ta 90A Tc | 27A Ta 120A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 54W Tc | - |
Время отключения | 14 ns | 18 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2012 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | - |
Код ECCN | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | FLAT | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 3.6W | 3.6W |
Сокетная связка | DRAIN | - |
Время задержки включения | 13 ns | 15 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 4.1m Ω @ 20A, 10V | 3.1mOhm @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2380pF @ 10V | 3180pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 31nC @ 10V | 41nC @ 10V |
Время подъема | 26ns | 33ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - |
Время падения (тип) | 8.5 ns | 12 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 23A | 27A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 50A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 200A | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 94 mJ | - |
Номинальное Vgs | 1.8 V | 1.8 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Поставщик упаковки устройства | - | PQFN (5x6) |
Сопротивление | - | 3.1MOhm |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Максимальная потеря мощности | - | 3.6W |
Конфигурация элемента | - | Single |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Пороговое напряжение | - | 1.8V |
Входной ёмкости | - | 3.18nF |
Время восстановления | - | 24 ns |
Сопротивление стока к истоку | - | 3.1mOhm |
Rds на макс. | - | 3.1 mΩ |
Высота | - | 1.17mm |
Длина | - | 5.85mm |
Ширина | - | 5mm |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | Для сравнения |
| IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | Для сравнения |
 | IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
| IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN | Для сравнения |