IRFH8324TRPBF Альтернативные части: IRFH3702TR2PBF ,IRFH8318TR2PBF

IRFH8324TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 15

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
116.025419 ₽
116.06 ₽
10
109.457947 ₽
1,094.55 ₽
100
103.262207 ₽
10,326.26 ₽
500
97.417179 ₽
48,708.66 ₽
1000
91.903003 ₽
91,903.07 ₽

Цена за единицу: 116.025419 ₽

Итоговая цена: 116.06 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRFH8324TRPBF	иIRFH3702TR2PBF	иIRFH8318TR2PBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Срок поставки от производителя	12 Weeks	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerVDFN	8-PowerTDFN
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	23A Ta 90A Tc	16A Ta 42A Tc	27A Ta 120A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-	-
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3.6W Ta 54W Tc	-	-
Время отключения	14 ns	11 ns	18 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2012	2010	2008
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	-	-
Код ECCN	EAR99	-	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	FLAT	-	-
Код JESD-30	R-PDSO-F5	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	-
Распад мощности	3.6W	2.8W	3.6W
Сокетная связка	DRAIN	-	-
Время задержки включения	13 ns	9.6 ns	15 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.1m Ω @ 20A, 10V	7.1mOhm @ 16A, 10V	3.1mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 50μA	2.35V @ 25μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2380pF @ 10V	1510pF @ 15V	3180pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	31nC @ 10V	14nC @ 4.5V	41nC @ 10V
Время подъема	26ns	15ns	33ns
Угол настройки (макс.)	±20V	-	-
Время падения (тип)	8.5 ns	5.8 ns	12 ns
Непрерывный ток стока (ID)	23A	16A	27A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	50A	-	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	200A	-	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	94 mJ	-	-
Номинальное Vgs	1.8 V	1.8 V	1.8 V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Поставщик упаковки устройства	-	8-PQFN (3x3)	PQFN (5x6)
Сопротивление	-	7.1MOhm	3.1MOhm
Максимальная рабочая температура	-	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-	-55°C	-55°C
Максимальная потеря мощности	-	2.8W	3.6W
Конфигурация элемента	-	Single	Single
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	30V
Входной ёмкости	-	1.51nF	3.18nF
Время восстановления	-	26 ns	24 ns
Сопротивление стока к истоку	-	7.1mOhm	3.1mOhm
Rds на макс.	-	7.1 mΩ	3.1 mΩ
Высота	-	939.8μm	1.17mm
Длина	-	2.9972mm	5.85mm
Ширина	-	2.9972mm	5mm
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Пороговое напряжение	-	-	1.8V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRFH8325TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH8318TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH3702TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	Для сравнения
IRFH8318TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN	Для сравнения