IRFH8324TR2PBF Альтернативные части: IRFH8325TRPBF ,IRFH8325TR2PBF

IRFH8324TR2PBFInfineon Technologies

В наличии: 25

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
62.533791 ₽
62.50 ₽
10
58.994148 ₽
589.97 ₽
100
55.654849 ₽
5,565.52 ₽
500
52.504574 ₽
26,252.34 ₽
1000
49.532624 ₽
49,532.69 ₽

Цена за единицу: 62.533791 ₽

Итоговая цена: 62.50 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRFH8324TR2PBF	иIRFH8325TRPBF	иIRFH8325TR2PBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN	MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN
Количество контактов	8	8	8
Поставщик упаковки устройства	PQFN (5x6)	-	PQFN (5x6)
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	23A Ta 90A Tc	21A Ta 82A Tc	21A Ta 82A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	3.6W Ta 54W Tc	3.6W Ta 54W Tc	-
Время отключения	14 ns	14 ns	14 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2012	2004	2013
Состояние изделия	Obsolete	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Сопротивление	3.1MOhm	-	5MOhm
Максимальная рабочая температура	150°C	-	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-	-55°C
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Распад мощности	3.6W	3.6W	3.6W
Время задержки включения	13 ns	12 ns	12 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 20A, 10V	5m Ω @ 20A, 10V	5mOhm @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 50μA	2.35V @ 50μA	2.35V @ 50μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2380pF @ 10V	2487pF @ 10V	2487pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	31nC @ 10V	32nC @ 10V	32nC @ 10V
Время подъема	26ns	16ns	16ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	-
Время падения (тип)	8.5 ns	7.1 ns	7.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)	23A	21A	21A
Пороговое напряжение	1.8V	-	1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Входной ёмкости	2.38nF	-	2.487nF
Время восстановления	24 ns	-	24 ns
Сопротивление стока к истоку	4.1mOhm	-	5mOhm
Rds на макс.	4.1 mΩ	-	5 mΩ
Номинальное Vgs	1.8 V	-	1.8 V
Высота	1.17mm	-	1.17mm
Длина	5.85mm	-	5.85mm
Ширина	5mm	-	5mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	-
Код JESD-609	-	e3	-
Количество выводов	-	5	-
Код ECCN	-	EAR99	-
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	-
Положение терминала	-	DUAL	-
Форма вывода	-	FLAT	-
Код JESD-30	-	R-PDSO-F5	-
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	-
Сокетная связка	-	DRAIN	-
Применение транзистора	-	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.005Ohm	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	94 mJ	-
Максимальная потеря мощности	-	-	3.6W

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRFH8325TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH8325TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN	Для сравнения
IRFH3702TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerVDFN	MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN	Для сравнения
IRFH8318TR2PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN	Для сравнения