Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRFH8324TR2PBF Альтернативные части: IRFH8325TRPBF
IRFH8324TR2PBFInfineon Technologies
В наличии: 25
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
62.533791 ₽
62.50 ₽
10
58.994148 ₽
589.97 ₽
100
55.654849 ₽
5,565.52 ₽
500
52.504574 ₽
26,252.34 ₽
1000
49.532624 ₽
49,532.69 ₽
Цена за единицу: 62.533791 ₽
Итоговая цена: 62.50 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Количество контактов | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | PQFN (5x6) | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 23A Ta 90A Tc | 21A Ta 82A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3.6W Ta 54W Tc | 3.6W Ta 54W Tc |
Время отключения | 14 ns | 14 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2012 | 2004 |
Состояние изделия | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Сопротивление | 3.1MOhm | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Конфигурация элемента | Single | - |
Распад мощности | 3.6W | 3.6W |
Время задержки включения | 13 ns | 12 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 20A, 10V | 5m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50μA | 2.35V @ 50μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2380pF @ 10V | 2487pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 31nC @ 10V | 32nC @ 10V |
Время подъема | 26ns | 16ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 8.5 ns | 7.1 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 23A | 21A |
Пороговое напряжение | 1.8V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Входной ёмкости | 2.38nF | - |
Время восстановления | 24 ns | - |
Сопротивление стока к истоку | 4.1mOhm | - |
Rds на макс. | 4.1 mΩ | - |
Номинальное Vgs | 1.8 V | - |
Высота | 1.17mm | - |
Длина | 5.85mm | - |
Ширина | 5mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Срок поставки от производителя | - | 12 Weeks |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 |
Количество выводов | - | 5 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | FLAT |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-F5 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.005Ohm |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 94 mJ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH8325TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN | Для сравнения |
| IRFH8325TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN | Для сравнения |
 | IRFH3702TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | Для сравнения |
| IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN | Для сравнения |