IRF7862TRPBF Альтернативные части: IRF8113GPBF ,IRF8788TRPBF

IRF7862TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 6652

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
29.319231 ₽
29.26 ₽
10
27.659657 ₽
276.65 ₽
100
26.094011 ₽
2,609.34 ₽
500
24.616992 ₽
12,308.52 ₽
1000
23.223571 ₽
23,223.63 ₽

Цена за единицу: 29.319231 ₽

Итоговая цена: 29.26 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7862TRPBF	иIRF8113GPBF	иIRF8788TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
Срок поставки от производителя	12 Weeks	-	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	21A Ta	17.2A Ta	24A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	18 ns	17 ns	23 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2007	2009	2008
Состояние изделия	Active	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	-
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Сопротивление	3.3MOhm	-	2.8MOhm
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	GULL WING	-	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	16 ns	13 ns	23 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3.7m Ω @ 20A, 10V	5.6mOhm @ 17.2A, 10V	2.8m Ω @ 24A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.35V @ 100μA	2.2V @ 250μA	2.35V @ 100μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4090pF @ 15V	2910pF @ 15V	5720pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	45nC @ 4.5V	36nC @ 4.5V	66nC @ 4.5V
Время подъема	19ns	8.9ns	24ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	11 ns	3.5 ns	11 ns
Непрерывный ток стока (ID)	21A	17.2A	24A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	350 mJ	-	-
Номинальное Vgs	2.35 V	2.2 V	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Поставщик упаковки устройства	-	8-SO	-
Максимальная рабочая температура	-	150°C	-
Минимальная температура работы	-	-55°C	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	-
Входной ёмкости	-	2.91nF	-
Сопротивление стока к истоку	-	7.4mOhm	-
Rds на макс.	-	5.6 mΩ	-
Корпусировка на излучение	-	No	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7834TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8734TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения
IRF8788TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO	Для сравнения