Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7862TRPBF Альтернативные части: IRF8788TRPBF
IRF7862TRPBFInfineon Technologies
В наличии: 6652
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
29.319231 ₽
29.26 ₽
10
27.659657 ₽
276.65 ₽
100
26.094011 ₽
2,609.34 ₽
500
24.616992 ₽
12,308.52 ₽
1000
23.223571 ₽
23,223.63 ₽
Цена за единицу: 29.319231 ₽
Итоговая цена: 29.26 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 21A Ta | 24A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 18 ns | 23 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2007 | 2008 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 3.3MOhm | 2.8MOhm |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 16 ns | 23 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 3.7m Ω @ 20A, 10V | 2.8m Ω @ 24A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 100μA | 2.35V @ 100μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 4090pF @ 15V | 5720pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 45nC @ 4.5V | 66nC @ 4.5V |
Время подъема | 19ns | 24ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 11 ns | 11 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 21A | 24A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 350 mJ | - |
Номинальное Vgs | 2.35 V | 1.8 V |
Высота | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7834TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8734TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8113GPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | Для сравнения |
| IRF8788TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO | Для сравнения |