Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IRF7809AVTRPBF Альтернативные части: SI4686DY-T1-E3 ,IRF7455TRPBF
IRF7809AVTRPBFInfineon Technologies
В наличии: 16594
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
57.750000 ₽
57.69 ₽
10
54.481126 ₽
544.78 ₽
100
51.397294 ₽
5,139.70 ₽
500
48.488008 ₽
24,243.96 ₽
1000
45.743407 ₽
45,743.41 ₽
Цена за единицу: 57.750000 ₽
Итоговая цена: 57.69 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 14 Weeks | 12 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 13.3A Ta | 18.2A Tc | 15A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V | 4.5V 10V | 2.8V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta | 3W Ta 5.2W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 96 ns | 20 ns | 51 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | HEXFET® | TrenchFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2005 | 2017 | 2004 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Сопротивление | 9MOhm | 9.5mOhm | 7.5mOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | - | 30V |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | 13.3A | - | 15A |
Интервал строк | 6.3 mm | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 3W | 2.5W |
Время задержки включения | 14 ns | 20 ns | 17 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 9m Ω @ 15A, 4.5V | 9.5m Ω @ 13.8A, 10V | 7.5m Ω @ 15A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 3780pF @ 16V | 1220pF @ 15V | 3480pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 62nC @ 5V | 26nC @ 10V | 56nC @ 5V |
Время подъема | 36ns | 20ns | 18ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±20V | ±12V |
Время падения (тип) | 10 ns | 8 ns | 44 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 13.3A | 18.2A | 15A |
Пороговое напряжение | 1V | 1V | 2V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 20V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Двухпитание напряжения | 30V | - | 30V |
Номинальное Vgs | 1 V | - | 2 V |
Высота | 1.4986mm | 1.55mm | 1.75mm |
Длина | 4.9784mm | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.9878mm | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead, Lead Free | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Вес | - | 186.993455mg | - |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Пороговая напряжённость / В | - | - | 30V |
Дополнительная Характеристика | - | - | AVALANCHE RATED |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 200 mJ |
Время восстановления | - | - | 96 ns |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7455TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7463TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SI4686DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | Для сравнения |