IRF7809AVTRPBF Альтернативные части: IRF8714TRPBF

IRF7809AVTRPBFInfineon Technologies

В наличии: 16594

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
57.750000 ₽
57.69 ₽
10
54.481126 ₽
544.78 ₽
100
51.397294 ₽
5,139.70 ₽
500
48.488008 ₽
24,243.96 ₽
1000
45.743407 ₽
45,743.41 ₽

Цена за единицу: 57.750000 ₽

Итоговая цена: 57.69 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иIRF7809AVTRPBF	иIRF8714TRPBF
Производитель:	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	12 Weeks	12 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	13.3A Ta	14A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	96 ns	11 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2005	2004
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Сопротивление	9MOhm	8.7MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	30V	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Моментальный ток	13.3A	-
Интервал строк	6.3 mm	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W
Время задержки включения	14 ns	10 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	9m Ω @ 15A, 4.5V	8.7m Ω @ 14A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3780pF @ 16V	1020pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	62nC @ 5V	12nC @ 4.5V
Время подъема	36ns	9.9ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±20V
Время падения (тип)	10 ns	5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	13.3A	14A
Пороговое напряжение	1V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Двухпитание напряжения	30V	-
Номинальное Vgs	1 V	1.8 V
Высота	1.4986mm	1.4986mm
Длина	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead, Lead Free	Lead Free
Код JESD-609	-	e3
Код ECCN	-	EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	65 mJ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7455TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7463TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8714TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC	Для сравнения
SI4686DY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC	Для сравнения