IMX9T110ROHM Semiconductor
В наличии: 10670
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.415659 ₽
6.46 ₽
10
6.052514 ₽
60.58 ₽
100
5.709918 ₽
571.02 ₽
500
5.386717 ₽
2,693.41 ₽
1000
5.081799 ₽
5,081.87 ₽
Цена за единицу: 6.415659 ₽
Итоговая цена: 6.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 13 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 6 | 6 | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 20V | - |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 560 | 820 | - |
Рабочая температура | 150°C TJ | - | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2004 | 2004 |
Код JESD-609 | e1 | e1 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN SILVER COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | - | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 500mA | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 | 10 |
Основной номер части | *MX9 | *MH23 | 2SD2114 |
Число контактов | 6 | 6 | 3 |
Направленность | NPN | NPN | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 350MHz | - | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 20V | - |
Максимальный ток сбора | 500mA | 600mA | - |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 560 @ 10mA 3V | 820 @ 50mA 5V | 820 @ 10mA 3V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | - | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA | 150mV @ 2.5mA, 50mA | 400mV @ 20mA, 500mA |
Частота перехода | 350MHz | 150MHz | 350MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 20V | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 25V | - | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12V | 12V | - |
Прямоходящий ток коллектора | 500mA | - | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.4 V | - | 0.4 V |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Распад мощности | - | 300mW | - |
Частота - Переход | - | 150MHz | 350MHz |
База (R1) | - | 4.7k Ω | - |
Высота | - | 1.2mm | - |
Длина | - | 3mm | - |
Ширина | - | 1.8mm | - |
Поверхностный монтаж | - | - | YES |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 500mA |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G3 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SINGLE |
Мощность - Макс | - | - | 200mW |
Полярность/Тип канала | - | - | NPN |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | - | 20V |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | - | 0.3W |