IMX9T110 Альтернативные части: IMH23T110 ,2SD2114KT146W

IMX9T110ROHM Semiconductor

  • IMX9T110ROHM Semiconductor
  • IMH23T110ROHM Semiconductor
  • 2SD2114KT146WROHM Semiconductor

В наличии: 10670

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    6.415659 ₽

    6.46 ₽

  • 10

    6.052514 ₽

    60.58 ₽

  • 100

    5.709918 ₽

    571.02 ₽

  • 500

    5.386717 ₽

    2,693.41 ₽

  • 1000

    5.081799 ₽

    5,081.87 ₽

Цена за единицу: 6.415659 ₽

Итоговая цена: 6.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346
Срок поставки от производителя
17 Weeks
13 Weeks
13 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
-
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-74, SOT-457
SC-74, SOT-457
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
6
6
-
Материал элемента транзистора
SILICON
-
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
20V
20V
-
Количество элементов
2
2
1
Минимальная частота работы в герцах
560
820
-
Рабочая температура
150°C TJ
-
150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2000
2004
2004
Код JESD-609
e1
e1
e1
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Not For New Designs
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN SILVER COPPER
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
20V
-
-
Максимальная потеря мощности
300mW
300mW
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
500mA
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
10
10
Основной номер части
*MX9
*MH23
2SD2114
Число контактов
6
6
3
Направленность
NPN
NPN
-
Конфигурация элемента
Dual
Dual
-
Применение транзистора
AMPLIFIER
SWITCHING
AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот
350MHz
-
-
Тип транзистора
2 NPN (Dual)
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
20V
-
Максимальный ток сбора
500mA
600mA
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
560 @ 10mA 3V
820 @ 50mA 5V
820 @ 10mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
-
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 500mA
150mV @ 2.5mA, 50mA
400mV @ 20mA, 500mA
Частота перехода
350MHz
150MHz
350MHz
Максимальное напряжение разрушения
20V
20V
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
25V
-
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
12V
12V
-
Прямоходящий ток коллектора
500mA
-
-
Максимальное напряжение на выходе
0.4 V
-
0.4 V
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Максимальная рабочая температура
-
150°C
-
Минимальная температура работы
-
-55°C
-
Распад мощности
-
300mW
-
Частота - Переход
-
150MHz
350MHz
База (R1)
-
4.7k Ω
-
Высота
-
1.2mm
-
Длина
-
3mm
-
Ширина
-
1.8mm
-
Поверхностный монтаж
-
-
YES
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
500mA
Положение терминала
-
-
DUAL
Код JESD-30
-
-
R-PDSO-G3
Квалификационный Статус
-
-
Not Qualified
Конфигурация
-
-
SINGLE
Мощность - Макс
-
-
200mW
Полярность/Тип канала
-
-
NPN
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
20V
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
-
0.3W