Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
IMX9T110 Альтернативные части: IMH23T110
IMX9T110ROHM Semiconductor
В наличии: 10670
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.415659 ₽
6.46 ₽
10
6.052514 ₽
60.58 ₽
100
5.709918 ₽
571.02 ₽
500
5.386717 ₽
2,693.41 ₽
1000
5.081799 ₽
5,081.87 ₽
Цена за единицу: 6.415659 ₽
Итоговая цена: 6.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN 20V 0.5A 6SMT | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 20V | 20V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 560 | 820 |
Рабочая температура | 150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2000 | 2004 |
Код JESD-609 | e1 | e1 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN SILVER COPPER | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 20V | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 500mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | *MX9 | *MH23 |
Число контактов | 6 | 6 |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 350MHz | - |
Тип транзистора | 2 NPN (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 20V | 20V |
Максимальный ток сбора | 500mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 560 @ 10mA 3V | 820 @ 50mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 400mV @ 20mA, 500mA | 150mV @ 2.5mA, 50mA |
Частота перехода | 350MHz | 150MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 20V | 20V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 25V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 12V | 12V |
Прямоходящий ток коллектора | 500mA | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.4 V | - |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Распад мощности | - | 300mW |
Частота - Переход | - | 150MHz |
База (R1) | - | 4.7k Ω |
Высота | - | 1.2mm |
Длина | - | 3mm |
Ширина | - | 1.8mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD2114KT146W | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346 | Для сравнения |
| 2SD2114KT146V | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS NPN 20V 0.5A SOT-346 | Для сравнения |
 | IMH23T110 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6 | Для сравнения |